NACHRICHT

Im Semiconductor Chip Manufacturing Sector ist Waferwürfel ein kritischer Prozess, der zahlreiche Chips auf einem Wafer in einzelne Einheiten unterteilt. Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Halbleitertechnologie haben sich auch 6-Zoll-Waferwürfel-Techniken entwickelt, um die wachsenden Marktanforderungen und die technischen Herausforderungen gerecht zu werden.

 

 

Herausforderungen für traditionelle Würfel -Technologien:

herkömmliche mechanische Würfelmethoden, wie z. Aufgrund der relativ größeren Größe von 6-Zoll-Wafern beschleunigt sich die Klingenverschleiß während des Würfels, die Schnittgeschwindigkeiten sind langsamer und die Chipkanten sind anfällig für Splitter und Delaminierung. Diese Probleme sind besonders ausgeprägt für härtere Materialien wie Siliziumcarbid (SIC) Wafer.

 

Entstehung von Laser -Würfel -Technologien:

Um die Mängel herkömmlicher Methoden zu beheben, ist Laserwürfel nach und nach zu einer wichtigen Lösung für 6-Zoll-Waferwürfel geworden.

Laserablation: Diese Technik verwendet einen fokussierten Laserstrahl, um Material zu verdampfen und Würfrenrillen zu bilden, kann jedoch eine größere Wärmezone (HAZ), Mikroreter und mögliche Schäden am blauen Klebeband des Wafers erzeugen.

 

Water-Jet-geführte Laserwürfel: Durch die Leitung von Laserenergie durch einen Wasserstrom ermöglicht diese Methode eine präzise Schnitt, während die Wärmefläche effektiv abkühlt, die thermische Verformung und Beschädigung reduziert und die Schnittgeschwindigkeit verbessert.

 

 

Stealth Dicing (SD): Diese Technologie bildet modifizierte Schichten im Wafer über die Laserbestrahlung und ermöglicht eine hohe Präzisionstrennung ohne Oberfläche. Es verbessert die Chipausbeute und Leistung erheblich.

 

Thermische Lasertrennung (TLS): Nutzung von Laser-induzierten Wärmespannungen und schnellen Abkühlung treibt eine saubere Wafer-Trennung mit Vorteilen wie hoher Geschwindigkeit und engeren Würfeln.